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UPA2810T1L-E2-AY	文件：359.49 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2810isP-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofportableequipments. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=12mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−13A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−6.5A) •Built-ingateprotection	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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文件：359.49 Kbytes

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MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR

DESCRIPTION TheμPA2810isP-channelMOSFETdesignedforDC/DCconverterandpower managementapplicationsofportableequipments. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=12mΩMAX.(VGS=−10V,ID=−13A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=−4.5V,ID=−6.5A) •Built-ingateprotection

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