PA1633中文资料高精度锂电内置MOSFET保护电路数据手册PSDSemi规格书
PA1633规格书详情
描述 Description
• 内置低导通电阻 N-MOSFET, MOSFET:
• 高精度的过电压充电保护电压检测 多种参数规格
• 高精度的过放保护电压检测 多种参数规格
• 高精度过电流放电保护检测 多种参数规格
• 高精度过电流充电保护检测 多种参数规格
• 可选择多种型号的检测电压和延迟时间 多种参数规格
• 可选择不同型号 0V-电池充电允许/禁止
• 带有自动恢复功能的低功耗模式
• 内部集成 RC、内置 MOSFET（需较少外围器件）
• 满足不同应用场景的封装形式DFN、SOT、TSSOP8
技术参数
- 制造商编号
：PA1633
- 生产厂家
：PSDSemi
- 过电压充电保护恢复
：4.2V
- 过电压放电保护
：2.5V
- 过电压放电保护恢复
：2.9V
- 过电流放电保护
：150mV
- 过电流充电保护
：N
- 内阻
：32mohm
- 过电压放电保护后自恢复
：Y
- 封装
：DFN23-6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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