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N-Channel200V(D-S)175째CMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
N-Channel200V(D-S)175째CMOSFET | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=64A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=200V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=21.6mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive. | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
iscN-ChannelMOSFETTransistor | ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司 | ISC | ||
N-Channel200V(D-S)175°CMOSFET FEATURES •ThunderFET®powerMOSFET •LowRDS-Qgfigure-of-merit(FOM) •Maximum175°Cjunctiontemperature •100RgandUIStested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Synchronousrectification •Powersupplies | VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体 | Vishay | ||
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