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STB80NF12	文件：344.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=80A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=120V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=0.018Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STB80NF12	文件：501.55 Kbytes Page：12 Pages	N-CHANNEL120V-0.013ohm-80ATO-220/TO-247/TO-220FP/D짼PAKSTripFET??IIPOWERMOSFET DESCRIPTION ThisMOSFETseriesrealizedwithSTMicroelectronicsuniqueSTripFETprocesshasspecificallybeendesignedtominimizeinputcapacitanceandgatecharge.Itisthereforesuitableasprimaryswitchinadvancedhigh-efficiency,high-frequencyisolatedDC-DCconvertersforTelecomandCo	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STP80NF12	文件：1.61562 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
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STP80NF12	文件：976.11 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel100-V(D-S)175째CMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
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