P6SMBJ26A数据手册电路保护的TVS-二极管规格书PDF
| 厂商型号 |
P6SMBJ26A |
| 参数属性 | P6SMBJ26A 封装/外壳为DO-214AA，SMB；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为电路保护的TVS-二极管；P6SMBJ26A应用范围：汽车级；产品描述：SURFACE MOUNT TRANSIENT VOLTAGE |
| 功能描述 | 600W 瞬态抑制二极管 |
| 封装外壳 | DO-214AA，SMB |
| 制造商 | WeEn WeEn Semiconductors |
| 中文名称 | 瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-8 17:10:00 |
| 人工找货 | P6SMBJ26A价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
P6SMBJ26A规格书详情
特性 Features
• Peak pulse power 600W @ 10/1000μs waveform
• Excellent clamping capability
• Low incremental surge resistance
• Surface mount package for easy assembly and PCB space-saving
• Typical IR < 1μA when VBR min > 12V
• Fast response time: typically < 1.0ps from 0V to VBR minimum
• IEC 61000-4-2 ESD 30kV (Air), 30kV (Contact)
• EFT protection of data lines in accordance with IEC 61000-4-4
• Guaranteed high temperature for reflow soldering: 260°C/10sec
• Mold compound complies to UL94V-0 flammability classification
• Meets MSL level 1, per J-STD-020
• Pb-free lead finish
• Halogen free and RoHS compliant
应用 Application
• Power supplies
• Industrial applications
• Power management circuits
• I/O interfaces
技术参数
- 制造商编号
：P6SMBJ26A
- 生产厂家
：WeEn
- Configuration
：Uni-directional
- Reverse Stand off Voltage VR (V)
：26
- Breakdown Voltage VBR@IT (V) [min]
：29.12
- Breakdown Voltage VBR@IT (V) [max]
：31.67
- Test current IT (mA)
：1
- Max.Clamping Voltage VC@IPP (V)
：42.1
- Max.Peak Pulse Current Ipp@10/1000 μs(A)
：14.3
- Maximum Reverse Leakage IR@VR (μA)
：1
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
PANJIT/强茂 |
2450+ |
smd |
6540 |
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询价 | ||
UNICTRONTECHNOLOGIESCORP |
23+ |
NA |
3366 |
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询价 | ||
PANJIT/强茂 |
23+ |
67871 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 | |||
PANJIT |
25+23+ |
DO-214AAS |
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PANASONIC/松下 |
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SMD |
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PAN |
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二极 |
7000 |
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SMB |
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PJT |
8000 |
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PANJIT/强茂 |
24+ |
NA/ |
3000 |
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询价 | ||
ON/DIODES/PANJIT |
24+ |
SMBD0-214AA |
43000 |
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PANJIT |
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DO-214 |
8560 |
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