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P6SMBJ200A中文资料600W 瞬态抑制二极管数据手册WeEn规格书

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厂商型号

P6SMBJ200A

参数属性

P6SMBJ200A 封装/外壳为DO-214AA,SMB;包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-二极管;P6SMBJ200A应用范围:通用;产品描述:TVS DIODE 171VWM 274VC DO214AA

功能描述

600W 瞬态抑制二极管

封装外壳

DO-214AA,SMB

制造商

WeEn WeEn Semiconductors

中文名称

瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司

数据手册

下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-27 9:21:00

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P6SMBJ200A规格书详情

特性 Features

• Peak pulse power 600W @ 10/1000μs waveform
• Excellent clamping capability
• Low incremental surge resistance
• Surface mount package for easy assembly and PCB space-saving
• Typical IR < 1μA when VBR min > 12V
• Fast response time: typically < 1.0ps from 0V to VBR minimum
• IEC 61000-4-2 ESD 30kV (Air), 30kV (Contact)
• EFT protection of data lines in accordance with IEC 61000-4-4
• Guaranteed high temperature for reflow soldering: 260°C/10sec
• Mold compound complies to UL94V-0 flammability classification
• Meets MSL level 1, per J-STD-020
• Pb-free lead finish
• Halogen free and RoHS compliant

应用 Application

• Power supplies
• Industrial applications
• Power management circuits
• I/O interfaces

技术参数

  • 制造商编号

    :P6SMBJ200A

  • 生产厂家

    :WeEn

  • Configuration

    :Uni-directional

  • Reverse Stand off Voltage VR (V)

    :200

  • Breakdown Voltage VBR@IT (V) [min]

    :224

  • Breakdown Voltage VBR@IT (V) [max]

    :247

  • Test current IT (mA)

    :1

  • Max.Clamping Voltage VC@IPP (V)

    :324

  • Max.Peak Pulse Current Ipp@10/1000 μs(A)

    :1.9

  • Maximum Reverse Leakage IR@VR (μA)

    :1

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