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P6SMB200A	文件：96.86 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountTRANSZORBTransientVoltageSuppressors SurfaceMountTRANSZORB®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •600Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform,repetitivera	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
P6SMB200A	文件：192.44 Kbytes Page：6 Pages	600W,6.8V-220VSurfaceMountTransientVoltageSuppressor	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
P6SMB200A	文件：703.16 Kbytes Page：6 Pages	SurfaceMountTransientVoltageSuppressors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
P6SMB200A	文件：3.3173 Mbytes Page：146 Pages	TVSDiodeProducts	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
P6SMB200A	文件：411.3 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountTransientVoltageSuppressors Features •Lowprofilepackagewithbuilt-instrainreliefforsurfacemountedapplications •PlasticpackagehasULflammabilityclassification94V-0 •Very-fastresponsetime •Excellentclampingcapability •Lowincrementalsurgeresistance •Glasspassivatedjunction •Hightemperature	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
P6SMB200A	文件：108.77 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountTRANSZORB®TransientVoltageSuppressors	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
P6SMB200A	文件：1.00428 Mbytes Page：4 Pages	SURFACEMOUNTTRANSIENTVOLTAGESUPPESSORDIODE Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●Uni-andBi-DirectionalVersionsAvailable ●ExcellentClampingCapability ●FastResponseTime ●PlasticMaterial:ULFlammabilityClassificationRating94V-0	SUNMATESUNMATE electronic Co., LTD 森美特森美特半导体股份有限公司	SUNMATE
P6SMB200A	文件：827.5 Kbytes Page：7 Pages	TransientVoltageSuppressors Features 1.Halogen-free 2.Rohscompliant 3.Typicalmaximumtemperaturecoefficient 4.ΔVBR=0.1xVBR@25°CxΔT 5.GlasspassivatedChipjunctioninDO-214AApackage 6.600Wpeakpulsecapadilityat10×1000μswaveform,repetitionrate(dutycycles):0.01 7.Fastresponsetime:typicallyle	RUILONRUILONGYUAN ELECTRONICS 瑞隆源深圳市瑞隆源电子有限公司	RUILON
P6SMB200A	文件：479.67 Kbytes Page：5 Pages	Excellentclampingcapability Features ●Peakpowerdissipation600W@10x1000usPulse ●Lowprofilepackage. ●Excellentclampingcapability. ●Glasspassivatedjunction. ●Fastresponsetime:typicallylessthan1psfrom0VoltstoBVmin ●TypicalIRlessthan1uAwhenVBRminabove12V. ●IEC61000-4-2ESD	SEMITECHShanghai Semitech Semiconductor Co., Ltd 海晨启半导体上海晨启半导体有限公司	SEMITECH
P6SMB200A	文件：206.19 Kbytes Page：3 Pages	GlassPassivatedJunctionTransientVoltageSuppressor	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

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