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P55N06L	文件：213.23 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on)= 0.02 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT ■ 175°C OPEARTING TEMPERATURE FOR STA 文件：213.23 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
STP55N06	文件：981.62 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：981.62 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STP55N06L	文件：981.56 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 60-V (D-S) MOSFET 文件：981.56 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
STP55N06L	文件：213.23 Kbytes Page：7 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR ■ TYPICAL RDS(on)= 0.02 Ω ■ AVALANCHE RUGGED TECHNOLOGY ■ 100 AVALANCHE TESTED ■ REPETITIVE AVALANCHE DATA AT 100°C ■ LOW GATE CHARGE ■ HIGH CURRENT CAPABILITY ■ LOGIC LEVEL COMPATIBLE INPUT ■ 175°C OPEARTING TEMPERATURE FOR STA 文件：213.23 Kbytes 页数：7 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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