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P4KE9.1C	文件：416.98 Kbytes Page：4 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressorDiodes Features ◇400Wsurgecapabilityat10x100uswaveform,dutycycle:0.01 ◇Excellentclampingcapability ◇Lowzenerimpedance ◇Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0voltstoVBRforunidirectionaland5.0nsforbidirectional ◇TypicalIRlessthan1uAabove10V ◇Hightem	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
P4KE9.1C	文件：645.91 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadTransientVoltageSuppressors(TVS) Description TheP4KEseriesisdesignedspecificallytoprotectsensitiveelectronicequipmentfromvoltagetransientsinducedbylightningandothertransientvoltageevents. Features ♦GlasspassivatedchipjunctioninDO-41Package ♦Lowleakage ♦UniandBidirectionalunit ♦Excellentcl	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
P4KE9.1C	文件：411.52 Kbytes Page：4 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressorDiodes Features ◇400Wsurgecapabilityat10x100uswaveform,dutycycle:0.01 ◇Excellentclampingcapability ◇Lowzenerimpedance ◇Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0voltstoVBRforunidirectionaland5.0nsforbidirectional ◇TypicalIRlessthan1uAabove10V ◇Hightem	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
P4KE9.1C	文件：983.2 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR 400WattPeakPower1.0WattSteady StateVOLTAGE-6.8to540Volts FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-O •GlasspassivatedchipjunctioninDO-41package •600Wsurgecapabilityat1ms •Excellentclampingcapability •Lowzenerimped	YEASHINYea Shin Technology Co., Ltd 亚昕科技亚昕科技股份有限公司	YEASHIN
P4KE9.1C	文件：416.98 Kbytes Page：4 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressorDiodes Features ◇400Wsurgecapabilityat10x100uswaveform,dutycycle:0.01 ◇Excellentclampingcapability ◇Lowzenerimpedance ◇Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0voltstoVBRforunidirectionaland5.0nsforbidirectional ◇TypicalIRlessthan1uAabove10V ◇Hightem	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
P4KE9.1C	文件：116.22 Kbytes Page：5 Pages	ExcellentClampingCapability Features ●GlassPassivatedDieConstruction ●400WPeakPulsePowerDissipation ●Uni-directionalVersionsAvailable ●ExcellentClampingCapability ●FastResponseTime Applications ●CommunicationSystems ●PowerSupplies ●MedicalEquipment ●BusinessMachines	SEMITECHShanghai Semitech Semiconductor Co., Ltd 海晨启半导体上海晨启半导体有限公司	SEMITECH
P4KE9.1C	文件：411.52 Kbytes Page：4 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressorDiodes Features ◇400Wsurgecapabilityat10x100uswaveform,dutycycle:0.01 ◇Excellentclampingcapability ◇Lowzenerimpedance ◇Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0voltstoVBRforunidirectionaland5.0nsforbidirectional ◇TypicalIRlessthan1uAabove10V ◇Hightem	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
P4KE9.1C	文件：249.55 Kbytes Page：3 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS VoltageRange6.8to400V 400WPeakPower FEATURE .PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 .400Wsurgecapabilityat10×100uswaveform,Dutycycle:0.01 .Excellentclampingcapability .Lowzenerimpedance .Fastresponsetime：Typicallylessthen1	CHONGQINGChongqing Pingwei Enterprise co.,Ltd 重庆平伟实业重庆平伟实业股份有限公司	CHONGQING
P4KE9.1C	文件：411.52 Kbytes Page：4 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressorDiodes Features ◇400Wsurgecapabilityat10x100uswaveform,dutycycle:0.01 ◇Excellentclampingcapability ◇Lowzenerimpedance ◇Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0voltstoVBRforunidirectionaland5.0nsforbidirectional ◇TypicalIRlessthan1uAabove10V ◇Hightem	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
P4KE9.1C	文件：411.52 Kbytes Page：4 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressorDiodes Features ◇400Wsurgecapabilityat10x100uswaveform,dutycycle:0.01 ◇Excellentclampingcapability ◇Lowzenerimpedance ◇Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0voltstoVBRforunidirectionaland5.0nsforbidirectional ◇TypicalIRlessthan1uAabove10V ◇Hightem	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG

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产品属性

产品编号：
P4KE9.1A-G
制造商：
Comchip Technology
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
散装
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
7.8V
电压 - 击穿（最小值）：
8.65V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
13.4V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
29.85A
功率 - 峰值脉冲：
400W
电源线路保护：
无
应用：
通用
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AL，DO-41，轴向
供应商器件封装：
DO-41
描述：
TVS DIODE 7.8VWM 13.4VC DO41

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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