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P4KE7.5	文件：645.91 Kbytes Page：6 Pages	AxialLeadTransientVoltageSuppressors(TVS) Description TheP4KEseriesisdesignedspecificallytoprotectsensitiveelectronicequipmentfromvoltagetransientsinducedbylightningandothertransientvoltageevents. Features ♦GlasspassivatedchipjunctioninDO-41Package ♦Lowleakage ♦UniandBidirectionalunit ♦Excellentcl	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
P4KE7.5	文件：261.45 Kbytes Page：4 Pages	400WTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
P4KE7.5	文件：1.52137 Mbytes Page：7 Pages	DO-41Plastic-EncapsulateDiode	HDSEMIJiangsu High diode Semiconductor Co., Ltd 苏海德半导体苏海德半导体有限公司	HDSEMI
P4KE7.5	文件：661.64 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVAEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BreakdownVoltage:6.8-440VoltsPeakPulsePower:400Watts FEATURE ♦400wpeakpulsepowercapability ♦Excellentclampingcapability ♦Lowincrementalsurgeresistance ♦Fastresponsetime:typicallylessthan1.0psfrom0vtoVBRforunidirectionaland5.0nsrorbidirectionaltypes. ♦High	SHUNYEShanghai Shunye Electronics Co.,Ltd. 顺烨电子江苏顺烨电子有限公司	SHUNYE
P4KE7.5	文件：411.52 Kbytes Page：4 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressorDiodes Features ◇400Wsurgecapabilityat10x100uswaveform,dutycycle:0.01 ◇Excellentclampingcapability ◇Lowzenerimpedance ◇Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0voltstoVBRforunidirectionaland5.0nsforbidirectional ◇TypicalIRlessthan1uAabove10V ◇Hightem	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
P4KE7.5	文件：411.52 Kbytes Page：4 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressorDiodes Features ◇400Wsurgecapabilityat10x100uswaveform,dutycycle:0.01 ◇Excellentclampingcapability ◇Lowzenerimpedance ◇Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0voltstoVBRforunidirectionaland5.0nsforbidirectional ◇TypicalIRlessthan1uAabove10V ◇Hightem	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
P4KE7.5	文件：97.73 Kbytes Page：3 Pages	UnidirectionalAndBidirectional Features •UnidirectionalAndBidirectional •LowInductance •HighTempSoldering:250°Cfor10SecondsAtTerminals •ForBidirectionalDevicesAdd“C”ToTheSuffixOfThePart Number:i.e.P4KE6.8CorP4KE6.8CAfor5ToleranceDevices	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
P4KE7.5	文件：416.98 Kbytes Page：4 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressorDiodes Features ◇400Wsurgecapabilityat10x100uswaveform,dutycycle:0.01 ◇Excellentclampingcapability ◇Lowzenerimpedance ◇Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0voltstoVBRforunidirectionaland5.0nsforbidirectional ◇TypicalIRlessthan1uAabove10V ◇Hightem	LUGUANGShenzhen Luguang Electronic Technology Co., Ltd 鲁光电子深圳市鲁光电子科技有限公司	LUGUANG
P4KE7.5	文件：224.6 Kbytes Page：6 Pages	400WattsTransientVoltageSuppressorLowDynamicimpedance	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
P4KE7.5	文件：1.83878 Mbytes Page：5 Pages	TRANISENTVOLTAGESUPPRESSOR	DIGITRON Digitron Semiconductors	DIGITRON

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详细参数

型号：
P4KE7.5C-T
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 bi-dir
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

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更多P4KE7.5C-T供应商更新时间2025-5-20 10:22:00

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