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P4KE160	文件：307.59 Kbytes Page：4 Pages	400WATTPEAKPOWERTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS VOLTAGERANGE6.8to440Volts 400WattsPeakPower 1.0WattsSteadyState FEATURES 400WattsSurgeCapabilityat1ms Excellentclampingcapability Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0volttoBVmin. Lowzenerimpedance TypicalIRlessthan1mAabove10V High	BYTES Bytes	BYTES
P4KE160	文件：748.2 Kbytes Page：5 Pages	POWER600WattsVOLTAGE6.8to440Volts Features •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 •Glasspassivatedjunction •600Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/100μSwaveform,reptitionrate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Lowincrementalsurgeresistance •Fastrespon	DAESAN Daesan Electronics Corp.	DAESAN
P4KE160	文件：95.93 Kbytes Page：4 Pages	TransientVoltageSuppressorDiodes FEATURES -Excellentclampingcapability -Lowdynamicimpedance -400Wsurgecapabilityat10/1000μswaveform -Fastresponsetime:Typicallylessthan1.0psfrom0volttoVBRforunidirectionaland5.0nsforbidirectional -TypicalIRlessthan1μAabove10V -ULrecognizedfile#E-32	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
P4KE160	文件：99.2 Kbytes Page：4 Pages	400WTransientVoltageSuppressor Stand-offVoltage:6.8~440V PowerDissipation:440Walts Features: ●Glasspassivatedchip ●Lowleakage ●UniandBidirectionunit ●Excellentclampingcapability ●TheplasticmaterialhasULrecognition94V-0 ●Fastresponsetime	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
P4KE160	文件：106.93 Kbytes Page：2 Pages	TRANSIENTABSORPTIONZENER	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
P4KE160	文件：153.58 Kbytes Page：4 Pages	UnidirectionalandbidirectionalTransientVoltageSuppressorDiodes UnidirectionalandbidirectionalTransientVoltageSuppressorDiodes •Peakpulsepowerdissipation400W •Nominalbreakdownvoltage6.8...440V •PlasticcaseDO-15 •Weightapprox.0.4g •Plastic	Diotec Diotec Semiconductor	Diotec
P4KE160	文件：107.2 Kbytes Page：6 Pages	TRANSZORB®TransientVoltageSuppressors FEATURES •Glasspassivatedchipjunction •Availableinuni-directionalandbi-directional •400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000µswaveform,repetitiverate(dutycycle):0.01 •Excellentclampingcapability •Veryfastresponsetime •Lowincrementalsurgeresistance •Sold	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
P4KE160	文件：138.43 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSOR BREAKDOWNVOLTAGE:6.8---440V PEAKPULSEPOWER:400W FEATURES ◇PlasticpackagehasUnderwritersLaboratoryFlammabilityClassification94V-0 ◇Glasspassivatedjunction ◇400Wpeakpulsepowercapabilitywitha10/1000μswaveform,repetitionrate(dutycycle):0.01 ◇Excellentclamping	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN
P4KE160	文件：428.02 Kbytes Page：4 Pages	TRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORS Features •Glasspassivatedjunction •400Wpulsecapabilityon10/1000µswaveform •Excellentclampingcapability •LowZenerimpedance •Fastresponsetime	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
P4KE160	文件：104.23 Kbytes Page：4 Pages	GLASSPASSIVATEDJUNCTIONTRANSIENTVOLTAGESUPPRESSORPOWER	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT

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详细参数

型号：
P4KE160-T
功能描述：
TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器 _
RoHS：
否
制造商：
Vishay Semiconductors
极性：
Bidirectional
击穿电压：
58.9 V
钳位电压：
77.4 V
峰值浪涌电流：
38.8 A
封装/箱体：
DO-214AB
最小工作温度：
- 55 C
最大工作温度：
+ 150 C

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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