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P32B12SN

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=32A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 120V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 25mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

文件:353.2 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

P32B12SN

Power MOSFETs 120V, 32A, N-channel

文件:1.65554 Mbytes 页数:7 Pages

SHINDENGEN

P32B12SN

MOSFET

Shindengen

新电元

P3576G

SOP8R

UTC/友顺

P3596L-5.0V

TO-263-5

UTC(友顺)

上传:深圳广友电子有限公司

UTC(友顺)

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更多P32B12SN供应商 更新时间2025-12-23 16:06:00