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28F020	文件：878.8 Kbytes Page：38 Pages	28F0202048K(256KX8)CMOSFLASHMEMORY Intel’s28F020CMOSflashmemoryoffersthemostcost-effectiveandreliablealternativeforread/writerandomaccessnonvolatilememory.The28F020addselectricalchip-erasureandreprogrammingtofamiliarEPROMtechnology.Memorycontentscanberewritten:inatestsocket;inaPROM-programmer	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
AM28F020	文件：509.2 Kbytes Page：35 Pages	2Megabit(256Kx8-Bit)CMOS12.0Volt,BulkEraseFlashMemory GENERALDESCRIPTION TheAm28F020isa2MegabitFlashmemoryorganizedas256Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F020ispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedto	AMDAdvanced Micro Devices, Inc. 超威半导体美国超威半导体公司
AM28F020A	文件：470.07 Kbytes Page：35 Pages	2Megabit(256Kx8-Bit)CMOS12.0Volt,BulkEraseFlashMemorywithEmbeddedAlgorithms TheAm28F020Aisa2MegabitFlashmemoryorganizedas256Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F020Aispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedtobereprogrammedande	AMDAdvanced Micro Devices, Inc. 超威半导体美国超威半导体公司
CAT28F020	文件：113.01 Kbytes Page：16 Pages	2MegabitCMOSFlashMemory	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
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CAT28F020	文件：431.16 Kbytes Page：15 Pages	2MegabitCMOSFlashMemory	CatalystCATALYST CATALYST
CAT28F020	文件：358.99 Kbytes Page：16 Pages	2MegabitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F020isahighspeed256Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. FEATURES ■Fastre	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
CAT28F020	文件：100.28 Kbytes Page：14 Pages	2MegabitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F020isahighspeed256Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. FEATURES ■FastRe	CatalystCATALYST CATALYST
IS28F020	文件：695.25 Kbytes Page：18 Pages	262,144x8CMOSFLASHMEMORY 262,144x8CMOSFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS28F020BL	文件：1.88332 Mbytes Page：39 Pages	262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY 262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS28F020BLV	文件：1.88332 Mbytes Page：39 Pages	262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY 262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
IS28F020BV	文件：1.88332 Mbytes Page：39 Pages	262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY 262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
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IS28F020BVT	文件：1.88332 Mbytes Page：39 Pages	262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY 262,144x8SmartVoltageBOOTBLOCKFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
LH28F020SU-L	文件：245.48 Kbytes Page：31 Pages	2M(256K횞8)FlashMemory	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）
LH28F020SU-N	文件：241.4 Kbytes Page：31 Pages	2M(256K횞8)FlashMemory INTRODUCTION Sharp’sLH28F020SU-N2MFlashMemoryisarevolutionaryarchitecturewhichenablesthedesignoftrulymobile,highperformance,personalcomputingandcommunicationproducts.Withinnovativecapabilities,5.0Vsinglevoltageoperationsandveryhighread/writeperformance,theLH28	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）
TMS28F020	文件：317.83 Kbytes Page：21 Pages	LatchupImmunityof250mAonAllInput	TI1Texas Instruments(TI) 德州仪器德州仪器 (TI)
TMS28F020	文件：312.48 Kbytes Page：21 Pages	262144BY8-BITFLASHMEMORY	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司

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