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P28F010-120	文件：405.78 Kbytes Page：30 Pages	1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F0101024K(128KX8)CMOSFLASHMEMORY Intel’s28F010CMOSflashmemoryoffersthemostcost-effectiveandreliablealternativeforread/writerandomaccessnonvolatilememory.The28F010addselectricalchip-erasureandreprogrammingtofamiliarEPROMtechnology.Memorycontentscanberewrit	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
P28F010-150	文件：405.78 Kbytes Page：30 Pages	1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F0101024K(128KX8)CMOSFLASHMEMORY Intel’s28F010CMOSflashmemoryoffersthemostcost-effectiveandreliablealternativeforread/writerandomaccessnonvolatilememory.The28F010addselectricalchip-erasureandreprogrammingtofamiliarEPROMtechnology.Memorycontentscanberewrit	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
P28F010-65	文件：405.78 Kbytes Page：30 Pages	1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F0101024K(128KX8)CMOSFLASHMEMORY Intel’s28F010CMOSflashmemoryoffersthemostcost-effectiveandreliablealternativeforread/writerandomaccessnonvolatilememory.The28F010addselectricalchip-erasureandreprogrammingtofamiliarEPROMtechnology.Memorycontentscanberewrit	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
P28F010-90	文件：405.78 Kbytes Page：30 Pages	1024K (128K x 8) CMOS FLASH MEMORY 28F0101024K(128KX8)CMOSFLASHMEMORY Intel’s28F010CMOSflashmemoryoffersthemostcost-effectiveandreliablealternativeforread/writerandomaccessnonvolatilememory.The28F010addselectricalchip-erasureandreprogrammingtofamiliarEPROMtechnology.Memorycontentscanberewrit	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
P28F010-120	文件：895.48 Kbytes Page：33 Pages	28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
P28F010-150	文件：895.48 Kbytes Page：33 Pages	28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
P28F010-90	文件：895.48 Kbytes Page：33 Pages	28F010 1024K (128K X 8) CMOS FLASH MEMORY	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
28F010	文件：405.78 Kbytes Page：30 Pages	1024K(128Kx8)CMOSFLASHMEMORY 28F0101024K(128KX8)CMOSFLASHMEMORY Intel’s28F010CMOSflashmemoryoffersthemostcost-effectiveandreliablealternativeforread/writerandomaccessnonvolatilememory.The28F010addselectricalchip-erasureandreprogrammingtofamiliarEPROMtechnology.Memorycontentscanberewrit	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
A28F010	文件：300.41 Kbytes Page：23 Pages	1024K(128Kx8)CMOSFLASHMEMORY	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）
AM28F010	文件：492.15 Kbytes Page：35 Pages	1Megabit(128Kx8-Bit)CMOS12.0Volt,BulkEraseFlashMemory GENERALDESCRIPTION TheAm28F010isa1MegabitFlashmemoryorganizedas128Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F010ispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedto	AMDAdvanced Micro Devices, Inc. 超威半导体美国超威半导体公司
AM28F010A	文件：464.59 Kbytes Page：35 Pages	1Megabit(128Kx8-Bit)CMOS12.0Volt,BulkEraseFlashMemorywithEmbeddedAlgorithms GENERALDESCRIPTION TheAm28F010Aisa1MegabitFlashmemoryorganizedas128Kbytesof8bitseach.AMD’sFlashmemoriesofferthemostcost-effectiveandreliableread/writenon-volatilerandomaccessmemory.TheAm28F010Aispackagedin32-pinPDIP,PLCC,andTSOPversions.Itisdesignedt	AMDAdvanced Micro Devices, Inc. 超威半导体美国超威半导体公司
CAT28F010	文件：100.41 Kbytes Page：14 Pages	1MegabitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F010isahighspeed128Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. FEATURES ■Fast	CatalystCATALYST CATALYST
CAT28F010	文件：434.79 Kbytes Page：15 Pages	1MegabitCMOSFlashMemory	CatalystCATALYST CATALYST
CAT28F010	文件：113.3 Kbytes Page：16 Pages	1MegabitCMOSFlashMemory	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
CAT28F010	文件：113.3 Kbytes Page：16 Pages	1MegabitCMOSFlashMemory	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
CAT28F010	文件：113.3 Kbytes Page：16 Pages	1MegabitCMOSFlashMemory	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
CAT28F010	文件：113.3 Kbytes Page：16 Pages	1MegabitCMOSFlashMemory	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
CAT28F010	文件：385.24 Kbytes Page：16 Pages	1MegabitCMOSFlashMemory DESCRIPTION TheCAT28F010isahighspeed128Kx8-bitelectricallyerasableandreprogrammableFlashmemoryideallysuitedforapplicationsrequiringin-systemorafter-salecodeupdates.Electricalerasureofthefullmemorycontentsisachievedtypicallywithin0.5second. FEATURES ■Fastre	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司
IS28F010	文件：695.87 Kbytes Page：18 Pages	131,072x8CMOSFLASHMEMORY 131,072x8CMOSFLASHMEMORY	ISSIIntegrated Silicon Solution Inc ISSI公司ISSI有限公司
M28F010	文件：317.3 Kbytes Page：22 Pages	1024K(128Kx8)CMOSFLASHMEMORY 1024K(128Kx8)CMOSFLASHMEMORY Intel’sM28F010isa1024-Kbitbyte-wide,in-systemre-writable,CMOSnonvolatileflashmemory.Itisorganizedas131,072bytesof8bitsandisavailableina32-pinhermeticCERDIPpackage.TheM28F010isalsoavailablein32-contactleadlesschipcarrier,J-	IntelIntel Corporation（Integrated Electronics Corporation) 英特尔英特尔（集成电子公司）

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详细参数

型号：
P28F010
制造商：
INTEL
制造商全称：
Intel Corporation
功能描述：
28F010 1024K(128K X 8) CMOS FLASH MEMORY

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多P28F010供应商更新时间2024-4-27 14:40:00

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