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SAB2793B	文件：1.60542 Mbytes Page：30 Pages	AdvancedFloppyDiskFormatter/ControllerFamily	ETC1List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商未分类制造商	ETC1
TZ2793A	文件：123.93 Kbytes Page：8 Pages	CrystalUnitSMD2.5x2.050MHz Features: SurfaceMountHermeticPackage ExcellentReliabilityPerformance GoodFrequencyPerturbationandStabilityovertemperature UltraMiniaturePackage DescriptionandApplications: Surfacemount2.5mmx2.0mmcrystalunitforuseinwirelesscommunicationsdevices, especiallyforan	TAI-SAW TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.	TAI-SAW
U2793B	文件：255.55 Kbytes Page：12 Pages	300MHZQUADRATUREMODULATOR	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
U2793B	文件：329.11 Kbytes Page：13 Pages	300-MHzQuadratureModulator	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
U2793B-MFS	文件：255.55 Kbytes Page：12 Pages	300MHZQUADRATUREMODULATOR	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
U2793B-NFSH	文件：255.55 Kbytes Page：12 Pages	300MHZQUADRATUREMODULATOR	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
U2793B-NFSH	文件：329.11 Kbytes Page：13 Pages	300-MHzQuadratureModulator	AtmelAtmel Corporation 爱特梅尔爱特梅尔公司	Atmel
UPA2793AGR	文件：1.19782 Mbytes Page：14 Pages	N-andP-Channel40V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
UPA2793AGR	文件：349.14 Kbytes Page：14 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2793AGRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) P-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2793GR	文件：349.63 Kbytes Page：14 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2793GRisN-andP-channelMOSFieldEffect TransistorsdesignedforMotorDriveapplication. FEATURES •Lowon-stateresistance N-channelRDS(on)1=15mΩMAX.(VGS=10V,ID=3.5A) RDS(on)2=23mΩMAX.(VGS=4.5V,ID=3.5A) P-channelRDS(on)1=26mΩMAX.(VGS	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

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