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P25Q16U-UXH-IW	文件：3.04443 Mbytes Page：69 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16UisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16U-UXH-IY	文件：3.04443 Mbytes Page：69 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16UisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16U-UXH-KR	文件：3.04443 Mbytes Page：69 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16UisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16U-UXH-KT	文件：3.04443 Mbytes Page：69 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16UisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16U-UXH-KW	文件：3.04443 Mbytes Page：69 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16UisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
P25Q16U-UXH-KY	文件：3.04443 Mbytes Page：69 Pages	UltraLowPower,16M-bit 2Description The P25Q16UisaserialinterfaceFlashmemorydevicedesignedforuseinawidevarietyofhighvolume consumerbasedapplicationsinwhichprogramcodeisshadowedfromFlashmemoryintoembeddedor externalRAMforexecution.Theflexibleerasearchitectureofthedevice,with	PUYAPuran Semiconductor (Shanghai) Co., Ltd 普冉普冉半导体(上海)股份有限公司	PUYA
T25Q16ABEGT	文件：8.65544 Mbytes Page：74 Pages	3V128M-BITSERIALNORFLASHWITHDUALANDQUADSPI&QPI	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
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