isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=23A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.24Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co

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ISC

无锡固电

Power MOSFETs 400V, 23A, N-channel

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SHINDENGEN

MOSFET

Shindengen

新电元

8-PIN SOP

普冉

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TSSOP

PUYA

普冉股份

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