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SI2302A	文件：1.8694 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=20V RDS(on)=45mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A RDS(on)=60mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
SI2302A	文件：1.24007 Mbytes Page：5 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=20V RDS(on)=45mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A RDS(on)=60mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
SI2302ADS	文件：56.69 Kbytes Page：4 Pages	N-Channel1.25-W,2.5-VMOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2302ADS	文件：205.23 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel2.5-V(G-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2302ADS	文件：2.34801 Mbytes Page：6 Pages	20VN-ChannelMOSFET Application «Load/Powerswitch\| +Interfacing,logicswitching\| «Batterymanagementforultraprotable electronics	TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD 台舟电子台舟电子股份有限公司	TECHPUBLIC
SI2302B	文件：765.18 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	UMWGuangdong Youtai Semiconductor Co., Ltd. 友台半导体广东友台半导体有限公司	UMW
SI2302B	文件：540.78 Kbytes Page：3 Pages	SOT-23Plastic-EncapsulateMOSFETS FEATURE TrenchFETPowerMOSFET APPLICATION LoadSwitchforPortableDevices DC/DCConverter	EVVOSEMIEVER SEMICONDUCTOR CO.,LIMITED 翊欧翊欧半导体	EVVOSEMI
SI2302CDS	文件：118.01 Kbytes Page：5 Pages	N-Channel20-V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Loadswitchingforportabledevices •DC/DCconverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2302CDS	文件：215.14 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SI2302CDS	文件：187.31 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
P2302SBRP
功能描述：
硅对称二端开关元件 190V 100A DO214 2L SIDACtor Bi
RoHS：
否
制造商：
Bourns 转折电流
VBO：
40 V 最大转折电流
IBO：
800 mA
不重复通态电流：
额定重复关闭状态电压
VDRM：
25 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
保持电流（Ih
最大值）：
50 mA
开启状态电压：
5 V 关闭状态电容
CO：
120 pF
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AA

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