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SI2302CDS	文件：215.14 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SI2302CDS	文件：187.31 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2302DDS	文件：209.68 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
SI2302DDS	文件：213.36 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •LoadSwitchingforPortableDevices •DC/DCConverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2302DDS	文件：200.62 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2302DDS	文件：200.59 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20V(D-S)MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100Rgtested •Materialcategorization: fordefinitionsofcompliancepleasesee www.vishay.com/doc?99912 APPLICATIONS •Loadswitchingforportabledevices •DC/DCconverter	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SI2302DS	文件：257.32 Kbytes Page：12 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™technology. Productavailability:SI2302DSinSOT23. Features TrenchMOS™technology Veryfastswitching Logiclevelcompatible Subminiaturesurfacemountpackage.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
SI2302DS	文件：1.17051 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET ■Features ●VDS=20V ●RDS(on)=85mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A ●RDS(on)=115mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
SI2302DS	文件：361.55 Kbytes Page：13 Pages	N-channelenhancementmodefield-effecttransistor 1.Description N-channelenhancementmodefield-effecttransistorinaplasticpackageusing TrenchMOS™1technology. Productavailability: SI2302DSinSOT23. 2.Features nTrenchMOS™technology nVeryfastswitching nLogiclevelcompatible nSubminiaturesurfacemountpackage. 3.Applic	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
SI2302DS-HF	文件：1.11453 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFET ■Features ●VDS=20V ●RDS(on)=85mΩ@VGS=4.5V,ID=3.6A ●RDS(on)=115mΩ@VGS=2.5V,ID=3.1A ●Pb−FreePackageMaybeAvailable.TheG−SuffixDenotesa Pb−FreeLeadFinish	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
P2302SARP
功能描述：
硅对称二端开关元件 190V 50A DO214 2L SIDACtor Bi
RoHS：
否
制造商：
Bourns 转折电流
VBO：
40 V 最大转折电流
IBO：
800 mA
不重复通态电流：
额定重复关闭状态电压
VDRM：
25 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
保持电流（Ih
最大值）：
50 mA
开启状态电压：
5 V 关闭状态电容
CO：
120 pF
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AA

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