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P1R5B40HP2

isc N-Channel MOSFET Transistor

FEATURES ·Drain Current –ID=1.5A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 400V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 14Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con

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ISC

无锡固电

P1R5B40HP2

Power MOSFET

文件:192.06 Kbytes 页数:4 Pages

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P1R5B40HP2

MOSFET

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更多P1R5B40HP2供应商 更新时间2026-2-5 14:02:00