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CCF1N10	文件：214.22 Kbytes Page：2 Pages	chipfuse	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
CCF1N10TTE	文件：214.22 Kbytes Page：2 Pages	chipfuse	KOA KOA SPEER ELECTRONICS, INC.	KOA
EMBA1N10Q	文件：202.03 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)110mΩ ID4.5A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMDA1N10A	文件：228.68 Kbytes Page：6 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)110mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
EMDA1N10F	文件：204.44 Kbytes Page：5 Pages	N?륝hannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor ProductSummary: BVDSS100V RDSON(MAX.)110mΩ ID15A UIS,Rg100Tested Pb‐FreeLeadPlating&HalogenFree	EXCELLIANCEExcelliance MOS Corp. 杰力科技杰力科技股份有限公司	EXCELLIANCE
MMFT1N10	文件：236.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERTMOSFET1AMP100VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
MMFT1N10E	文件：236.4 Kbytes Page：10 Pages	MEDIUMPOWERTMOSFET1AMP100VOLTS MediumPowerFieldEffectTransistor N–ChannelEnhancementMode SiliconGateTMOSE–FET™SOT–223forSurfaceMount ThisadvancedE–FETisaTMOSMediumPowerMOSFETdesignedtowithstandhighenergyintheavalancheandcommutationmodes.Thisnewenergyefficientdevicealsooffersadrain–to–	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
RFL1N10	文件：30.55 Kbytes Page：4 Pages	1A,80Vand100V,1.200Ohm,N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil
RFL1N10	文件：96.15 Kbytes Page：2 Pages	1A,180Vand200V,3.65Ohm,N-ChannelPowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFL1N10	文件：148.22 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel,PowerMOSFETs Description TheseareN-channelenhancementmodesilicon-gatepowerfield-effecttransistorsdesignedforapplicationssuchasswitchingregulators,switchingconverters,motordrivers,relaydriversanddriversforhigh-powerbipolarswitchingtransistorsrequiringhighspeedandlowgate-drive	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
RFL1N10L	文件：29.9 Kbytes Page：5 Pages	1A,100V,1.200Ohm,LogicLevel,N-ChannelPowerMOSFET Description ThisisanN-Channelenhancementmodesilicongatepowerfieldeffecttransistorspecificallydesignedforusewithlogiclevel(5V)drivingsourcesinapplicationssuchasprogrammablecontrollers,automotiveswitching,andsolenoiddrivers.Thisperformanceisaccomplishedthrougha	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社	Intersil

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	P1N10	ST/意法		TO-220	57670	原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种	询价
深圳市振宏微科技有限公司	P1N120	ST	23+	TO220	16900	支持样品,原装现货,提供技术支持!	询价
深圳市赛特兴科技有限公司	P1N120	ST	23+	TO220	16900	正规渠道,只有原装!	询价
中科航电（深圳）电子集团有限公司	P1N120	ST		TO220	36900	集团化配单-有更多数量-免费送样-原包装正品现货-正规	询价
深圳市星佑电子有限公司	P1N120	ST	22+	TO220	16900	支持样品原装现货提供技术支持!	询价
深圳市惊羽科技有限公司	P1N1205D	PHI-CON	24+25+/26+27+	车规-电源模块	3280	一一有问必回一特殊渠道一有长期订货一备货HK仓库	询价

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