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ST16N10

TO-252Packagedesign

STANSON

Stanson Technology

ST16N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

ST16N10

N-Channel100V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

ST16N10-TP

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

Features ®Ros10m0@VGS=10vV ®SuperhighdensitycelldesignforextremelylowRos)| ®Exceptionalon-resistanceandmaximumDCcurrent

TECHPUBLICTECH PUBLIC Electronics co LTD

台舟电子台舟电子股份有限公司

STP16N10L

N-Channel100-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

STP16N10L

N-CHANNEL100V-0.14ohm-16A-TO-220POWERMOSTRANSISTOR

N-CHANNEL100V-0.14Ω-16A-TO-220POWERMOSTRANSISTOR ■TYPICALRDS(on)=0.14Ω ■AVALANCHERUGGEDTECHNOLOGY ■100AVALANCHETESTED ■REPETITIVEAVALANCHEDATAAT100oC ■HIGHCURRENTCAPABILITY ■175°COPERATINGTEMPERATURE ■HIGHdV/dtRUGGEDNESS ■APPLICATIONORIENTEDCHARACTE

STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics

意法半导体意法半导体集团

WSP16N10

N-ChannelMOSFETusesadvancedSGTtechnology

DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.

杜因特深圳市杜因特半导体有限公司

WSP16N10

N-ChMOSFET

WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd

微硕半导体微硕半导体(深圳)有限公司

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