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P153FP6SNK	文件：333.52 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 153A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 3mΩ(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC con 文件：333.52 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P153FP6SNK	文件：1.77642 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFETs 60V, 153A, N-channel 文件：1.77642 Mbytes 页数：7 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN
P153FP6SNK	文件：300 bytes Page：1 Pages	MOSFET	Shindengen 新电元	Shindengen
P153FP6SN	文件：333.21 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 153A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 60V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.003Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC 文件：333.21 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
P153FP6SN	文件：1.67205 Mbytes Page：7 Pages	Power MOSFETs 60V, 153A, N-channel 文件：1.67205 Mbytes 页数：7 Pages	SHINDENGEN	SHINDENGEN

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更多P153FP6SNK供应商更新时间2026-1-22 16:01:00