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P1300TA	文件：626.12 Kbytes Page：5 Pages	ThyristorSurgeSuppressors	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
P1300TA	文件：737.65 Kbytes Page：5 Pages	Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge	LEIDITECHShanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd 雷卯电子上海雷卯电子科技有限公司	LEIDITECH
P1300TA	文件：1.1291 Mbytes Page：5 Pages	ThyristorSugarSuppressorDiodes	FUTUREWAFER FutureWafer Tech Co.,Ltd	FUTUREWAFER
P1300TA	文件：3.39128 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Lowvoltageovershoot Lowon-statevoltage Doesnotdegradesurgecapabilityaftermultiplesurgeevents withinlimit Failsshortcircuitwhensurgedinexcessofratings LowCapacitance	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
P1300TA	文件：620.12 Kbytes Page：7 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) Description DO-214ACThyristorsolidstateprotectionthyristorprotect telecommunicationsequipmentsuchasmodems,linecards, faxmachines,andotherCPE. PSeriesdevicesareusedtoenableequipmenttomeet variousregulatoryrequirementsincludingGR1089,ITU K.20,K.21andK.45,IEC	YAGEOYageo Corporation 国巨台湾国巨股份有限公司	YAGEO
P1300TB	文件：1.40002 Mbytes Page：3 Pages	ThyristorSurgeSuppressors	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
P1300TB	文件：3.40996 Mbytes Page：6 Pages	ThyristorSurgeSuppressors(TSS) FeaturesandBenefits Excellentcapabilityofabsorbingtransientsurge Quickresponsetosurgevoltage(nsLevel) Eliminatesovervoltagecausedbyfastrisingtransients Moisturesensitivitylevel:Level1 Weight69mg(approximate) Nondegenerative ResponseTimeis	UNSEMIUN Semiconducctor INC 优恩半导体深圳市优恩半导体有限公司	UNSEMI
P1300THLRP	文件：299.39 Kbytes Page：3 Pages	POLYFUSE짰ResettablePTCs	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
P1300THLRP	文件：448.8 Kbytes Page：4 Pages	ThisDO-41plasticpackageprovidesathrough-holeversionoftheSIDACtor짰devices.	Littelfuselittelfuse 力特力特公司	Littelfuse
P1300THLRP	文件：288.92 Kbytes Page：5 Pages	SIDACtorProtectionThyristors	HUAXINANHuaXinAn Electronics CO.,LTD 华兴安深圳市华兴安电子有限公司	HUAXINAN

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详细参数

型号：
P1300SDL
功能描述：
硅对称二端开关元件 1000A 120V
RoHS：
否
制造商：
Bourns 转折电流
VBO：
40 V 最大转折电流
IBO：
800 mA
不重复通态电流：
额定重复关闭状态电压
VDRM：
25 V
关闭状态漏泄电流（在VDRM_IDRM下）：
保持电流（Ih
最大值）：
50 mA
开启状态电压：
5 V 关闭状态电容
CO：
120 pF
最大工作温度：
+ 150 C
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
DO-214AA

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