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OPA828IDGNR	文件：3.10746 Mbytes Page：47 Pages	Marking：2RAJ；Package：HVSSOP；OPAx828 Low-Offset, Low-Drift, Low-Noise, 45-MHz, 36-V, JFET-Input Operational Amplifiers 1Features •Lowinputvoltagenoisedensity: 4nV/√Hzat1kHz •Inputvoltagenoise: 0.1Hzto10Hz:60nVRMS •Lowinputbiascurrent: –0.1pA(DGN) –1pA(D) •Inputoffsetvoltage: –25μV(DGN) –50μV(D) •Inputoffsetdrift: –0.2μV/°C(DGN) –0.45μV/°C(D) •MUX-friend	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA828IDGNT	文件：3.10746 Mbytes Page：47 Pages	OPAx828Low-Offset,Low-Drift,Low-Noise,45-MHz,36-V,JFET-InputOperationalAmplifiers 1Features •Lowinputvoltagenoisedensity: 4nV/√Hzat1kHz •Inputvoltagenoise: 0.1Hzto10Hz:60nVRMS •Lowinputbiascurrent: –0.1pA(DGN) –1pA(D) •Inputoffsetvoltage: –25μV(DGN) –50μV(D) •Inputoffsetdrift: –0.2μV/°C(DGN) –0.45μV/°C(D) •MUX-friend	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA828IDR	文件：370.8 Kbytes Page：22 Pages	Low-Offset,Low-Drift,Low-Noise,50-MHz,36-VJFET-InputOperationalAmplifier	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
OPA828IDR	文件：2.34601 Mbytes Page：43 Pages	OPAx828Low-Offset,Low-Drift,Low-Noise,45-MHz,36-VJFET-Input,OperationalAmplifiers 1Features •Lowinputvoltagenoisedensity: 4nV/√Hzat1kHz •Inputvoltagenoise: 0.1Hzto10Hz:60nVRMS •Lowinputbiascurrent:1pA •Inputoffsetvoltage:50μV •Inputoffsetdrift:0.45μV/°C •MUX-friendlyinputs •Gainbandwidth:45MHz •Slewrate:150V/μs •14-bitse	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPA828IDR	文件：3.10746 Mbytes Page：47 Pages	OPAx828Low-Offset,Low-Drift,Low-Noise,45-MHz,36-V,JFET-InputOperationalAmplifiers 1Features •Lowinputvoltagenoisedensity: 4nV/√Hzat1kHz •Inputvoltagenoise: 0.1Hzto10Hz:60nVRMS •Lowinputbiascurrent: –0.1pA(DGN) –1pA(D) •Inputoffsetvoltage: –25μV(DGN) –50μV(D) •Inputoffsetdrift: –0.2μV/°C(DGN) –0.45μV/°C(D) •MUX-friend	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPAX828	文件：3.10746 Mbytes Page：47 Pages	OPAx828Low-Offset,Low-Drift,Low-Noise,45-MHz,36-V,JFET-InputOperationalAmplifiers 1Features •Lowinputvoltagenoisedensity: 4nV/√Hzat1kHz •Inputvoltagenoise: 0.1Hzto10Hz:60nVRMS •Lowinputbiascurrent: –0.1pA(DGN) –1pA(D) •Inputoffsetvoltage: –25μV(DGN) –50μV(D) •Inputoffsetdrift: –0.2μV/°C(DGN) –0.45μV/°C(D) •MUX-friend	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPAX828	文件：2.34601 Mbytes Page：43 Pages	OPAx828Low-Offset,Low-Drift,Low-Noise,45-MHz,36-VJFET-Input,OperationalAmplifiers 1Features •Lowinputvoltagenoisedensity: 4nV/√Hzat1kHz •Inputvoltagenoise: 0.1Hzto10Hz:60nVRMS •Lowinputbiascurrent:1pA •Inputoffsetvoltage:50μV •Inputoffsetdrift:0.45μV/°C •MUX-friendlyinputs •Gainbandwidth:45MHz •Slewrate:150V/μs •14-bitse	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
OPB828	文件：252.34 Kbytes Page：2 Pages	SLOTTEDOPTICALSWITCHES Description: EachOPB827,OPB828andOPB829deviceconsistsofaninfraredemittingdiode(LED,890nmcenterwavelength)andaNPNsiliconphototransistor,mountedonoppositesidesofa0.125”(3.18mm)wideslotinalow-costblackplastichousing.Avarietyofaperturesizesareoffered(see	Optek OPTEK Technologies	Optek
OPB828A	文件：608.54 Kbytes Page：6 Pages	SlottedOpticalSwitch Description: EachOPB827,OPB828andOPB829deviceconsistsofaninfraredemittingdiode(LED,890nmcenterwavelength)andaNPNsiliconphototransistor,mountedonoppositesidesofa0.125”(3.18mm)wideslotinalow-costblackplastichousing.Avarietyofaperturesizesareoffered(see	TTELECTT Electronics. TT电子公司梯梯电子集成制造服务(苏州)有限公司	TTELEC
OPB828A	文件：252.34 Kbytes Page：2 Pages	SLOTTEDOPTICALSWITCHES Description: EachOPB827,OPB828andOPB829deviceconsistsofaninfraredemittingdiode(LED,890nmcenterwavelength)andaNPNsiliconphototransistor,mountedonoppositesidesofa0.125”(3.18mm)wideslotinalow-costblackplastichousing.Avarietyofaperturesizesareoffered(see	Optek OPTEK Technologies	Optek

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