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TZM5262	文件：80.98 Kbytes Page：4 Pages	Verysharpreversecharacteristic	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
TZM5262B	文件：59.09 Kbytes Page：4 Pages	SiliconZ-Diodes Features ●Verysharpreversecharacteristic ●Veryhighstability ●Electricaldataidenticalwiththedevices1N5221B...1N5267B ●Lowreversecurrentlevel ●VZ–tolerance±5 Applications Voltagestabilization	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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TZM5262B	文件：204.08 Kbytes Page：5 Pages	500mWSurfaceMountZenerDiodes 500mWSurfaceMountZenerDiodes Features •PlanarDieConstruction •500mWPowerDissipation •VerySharpReverseCharacteristic •VeryHighStability •LowReverseCurrentLevel •StandardZenerVoltageToleranceis±5 •IdeallySuitedforAutomatedAssemblyProcesses •RoHSCompliant	TAITRON TAITRON Components Incorporated	TAITRON
TZM5262B	文件：76.84 Kbytes Page：4 Pages	SmallSignalZenerDiodes FEATURES •Verysharpreversecharacteristic •Veryhighstability •Electricaldataidenticalwiththedevices1N5221Bto1N5267B •Lowreversecurrentlevel •VZ-tolerance±5 •AEC-Q101qualified •Materialcategorization:Fordefinitionsofcompliancepleaseseewww.vishay.com/doc?99	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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详细参数

型号：
ON5262,127
功能描述：
MOSFET ON5262/SOT78/RAILH//
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	ON5262,127	恩XP	24+	TO-220-3	30000	晶体管-分立半导体产品-原装正品	询价
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