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AZ850	文件：55.69 Kbytes Page：2 Pages	MICROMINIATUREPOLARIZEDRELAY [ZETTLER] FEATURES •Microminiaturesize:Height:.197inches(5mm);Length:.551inches(14mm);Width:.354inches(9mm) •Highsensitivity,79mWpickup •Monostableandbistable(latching)singlecoilandtwocoilversionsavailable •MeetsFCCPart68.3021500Vlightningsurge •DIP	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
AZ850	文件：72.48 Kbytes Page：2 Pages	MICROMINIATUREPOLARIZEDRELAY FEATURES •Microminiaturesize:Height:.197inches(5mm);Length:.551inches(14mm);Width:.354inches(9mm) •Highsensitivity,79mWpickup •Monostableandbistable(latching)singlecoilandtwocoilversionsavailable •MeetsFCCPart68.3021500Vlightningsurge •DIPterminalla	AZETTLER American Zettler, Inc.	AZETTLER
B850	文件：209.73 Kbytes Page：3 Pages	SurfaceMountSchottkyBarrierRectifiers REVERSEVOLTAGE20TO60VOLTSFORWARDCURRENT8.0AMPERE Features: ForSurfaceMountApplication Metal-SemiconductorJunctionWithGuardring EpitaxialConstruction VeryLowForwardVoltageDrop HighCurrentCapability PlasticMeterialHasULFlammabilityClassificatio	WEITRONWEITRON 威堂電子科技	WEITRON
BC850	文件：52.37 Kbytes Page：3 Pages	SOT23NPNSILICONPLANAR SOT23NPNSILICONPLANARGENERALPURPOSETRANSISTORS	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
BC850	文件：35.74 Kbytes Page：3 Pages	SOT23PNPSILICONPLANARGENERALPURPOSETRANSISTORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
BC850	文件：54.93 Kbytes Page：4 Pages	SWITCHINGANDAMPLIFIERAPPLICATION ■FEATURES Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits. ComplementtoBC856…BC860	UTCYoushun Technology Co., Ltd 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
BC850	文件：149.1 Kbytes Page：5 Pages	NPNEpitaxialSiliconTransistor Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC849,BC850 •ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC850	文件：46.35 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplements:BC859andBC860. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BC850	文件：68.65 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALSILICONTRANSISTOR Features •SwitchingandAmplifierApplications •Suitableforautomaticinsertioninthickandthin-filmcircuits •LowNoise:BC849,BC850 •ComplementtoBC856...BC860	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
BC850	文件：146.75 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(GENERALPURPOSE,SWITCHING) GENERALPURPOSEAPPLICATION. SWITCHINGAPPLICATION. FEATURES •ForComplementaryWithPNPTypeBC859/860.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC850	文件：216.64 Kbytes Page：8 Pages	NPNSiliconAFTransistors •ForAFinputstagesanddriverapplications •Highcurrentgain •Lowcollector-emittersaturationvoltage •Lownoisebetween30Hzand15kHz •Complementarytypes: BC856...-BC860...(PNP) •Pb-free(RoHScompliant)package1) •QualifiedaccordingAECQ101	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
BC850	文件：40.97 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeTransistors ■Features ●Lowcurrent(max.100mA) ●Lowvoltage(max.45V). ●PNPcomplements:BC859andBC860.	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BC850	文件：101.76 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC850	文件：225.24 Kbytes Page：3 Pages	NPNSiliconEpitaxialTransistor NPNSiliconEpitaxialTransistor forswitchingandamplifierapplications AscomplementarytypesthePNPtransistors BC856...BC860isrecommended.	SEMTECH_ELECSEMTECH ELECTRONICS LTD. 先之科半导体先之科半导体科技（东莞）有限公司	SEMTECH_ELEC
BC850	文件：27.5 Kbytes Page：2 Pages	SOT-23-PowerTransistorandDarlingtons	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
BC850	文件：139.97 Kbytes Page：8 Pages	NPNgeneralpurposetransistors DESCRIPTION NPNtransistorinaSOT23plasticpackage. PNPcomplements:BC859andBC860. FEATURES •Lowcurrent(max.100mA) •Lowvoltage(max.45V). APPLICATIONS •Generalpurposeswitchingandamplification.	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BC850	文件：37.52 Kbytes Page：1 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
BC850	文件：595.68 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VOLTAGE30/45/65VoltsCURRENT225mWatts FEATURES •Generalpurposeamplifierapplications •NPNepitaxialsilicon,planardesign •CollectorcurrentIC=100mA •IncompliancewithEURoHS2002/95/ECdirectives	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
BC850	文件：98.91 Kbytes Page：2 Pages	SurfaceMountGeneralPurposeSi-Epi-PlanarTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23(TO-236) •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec
BC850	文件：186.57 Kbytes Page：2 Pages	SurfacemountSi-EpitaxialPlanarTransistors GeneralPurposeTransistors •Powerdissipation250mW •PlasticcaseSOT-23 •Weightapprox.0.01g •PlasticmaterialhasULclassification94V-0 •Standardpackagingtapedandreeled	DiotecDIOTEC 德欧泰克	Diotec

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产品属性

产品编号：
OD-850W
制造商：
Opto Diode Corp
类别：
光电器件 > LED 发射器 - 红外，紫外，可见光
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
类型：
红外（IR）
电流 - DC 正向 (If)（最大值）：
100mA
波长：
850nm
电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.6V
视角：
80°
方向：
顶视图
工作温度：
-40°C ~ 100°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-46-2 透镜顶部金属罐
描述：
EMITTER IR 850NM 100MA TO-46

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