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NXV65HR82D数据手册分立半导体产品的功率驱动器模块规格书PDF

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厂商型号

NXV65HR82D

参数属性

NXV65HR82D 封装/外壳为16-SSIP 노출형 패드,성형 리드;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的功率驱动器模块;产品描述:AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG

功能描述

汽车功率模块H桥APM16系列,用于LLC和移相DC-DC转换器。
AUTOMOTIVE POWER MODULE, H-BRIDG

封装外壳

16-SSIP 노출형 패드,성형 리드

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-6 17:01:00

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NXV65HR82D规格书详情

描述 Description

On-Board Charger H-Bridge in APM16 Series for LLC and Phase-shifted DC-DC Converter. 82mΩ SuperFET3 H-Bridge on Al²O³ DBC substrate with 5 kV isolation in a compact APM16 transfer molded module.

特性 Features

• SIP or DIP H−Bridge Power Module for On−board Charger (OBC) in EV−PHEV
• Enable Design of Small, Efficient and Reliable System for Reduced Vehicle Fuel Consumption and CO 2 Emissions
• High Voltage Snubber Capacitor for Low Noise at High Voltage Battery
• Simplified Assembly, Optimized Layout, High Level of Integration, and Improved Thermal Performance
• 5 kV/1 sec Electrically Isolated Substrate for Easy Assembly
• Integrated Isolation enables compact system design
• Compact Design for Low Total Resistance
• Module Serialization for Full Traceability
• Lead Free, RoHS and UL94V−0 Compliant
• Automotive Qualified per AEC Q101 and AQG324 Guidelines

应用 Application

• DC-DC Converter for On-Board Charger in EV or PHEV
• On-Board Charger in EV-PHEV

简介

NXV65HR82D属于分立半导体产品的功率驱动器模块。由制造生产的NXV65HR82D功率驱动器模块功率驱动器模块为电源组件(通常为半桥或单相、两相或三相配置的 IGBT 和 MOSFET)提供物理防护。功率半导体或裸片将焊接或烧结在基材上,后者可承载功率半导体并在需要时提供电和热触点以及电绝缘。功率模块提供更高的功率密度,并且在许多情况下更可靠且更易于冷却。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NXV65HR82D

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Bridge

  • VBR Max (V)

    :650

  • RDS(on) Max (mΩ)

    :82

  • Package Type

    :APMCA-A16/16LD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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23+
原厂原封
6000
订货1周 原装正品
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ON/安森美
23+
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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2508+
原厂封装
182881
一级代理,原装现货
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2000
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