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NXPSC12650中文资料Silicon Carbide Diodes数据手册WeEn规格书

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厂商型号

NXPSC12650

参数属性

NXPSC12650 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的二极管-整流器-单;产品描述:SILICON CARBIDE POWER DIODE

功能描述

Silicon Carbide Diodes
SILICON CARBIDE POWER DIODE

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

WeEn WeEn Semiconductors

中文名称

瑞能半导体 瑞能半导体科技股份有限公司

数据手册

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更新时间

2025-9-29 22:59:00

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NXPSC12650规格书详情

描述 Description

Silicon Carbide Schottky diode in a SOD59A(TO-220AC) plastic package, designed for high frequency switched-mode power supplies

特性 Features

• Highly stable switching performance
• High forward surge capability IFSM
• Extremely fast reverse recovery time
• Superior in efficiency to Silicon Diode alternatives
• Reduced losses in associated MOSFET
• Reduced EMI
• Reduced cooling requirements
• RoHS compliant

应用 Application

• Power factor correction
• Telecom / Server SMPS
• UPS
• PV inverter
• PC Silverbox
• LED / OLED TV
• Motor Drives

简介

NXPSC12650属于分立半导体产品的二极管-整流器-单。由制造生产的NXPSC12650二极管 - 整流器 - 单单整流器二极管系列产品可用于让电流仅沿一个方向流动,并且每个器件封装都恰好实现该功能的一个实例。其他用途的二极管(包括齐纳二极管和可变电容二极管)单独列在各自的产品系列中,每个器件封装中包含多个二极管的产品也是如此。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NXPSC12650B6J

  • 制造商:

    WeEn Semiconductors

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    碳化硅肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    12A

  • 速度:

    无恢复时间 > 500mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    380pF @ 1V,1MHz

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 工作温度 - 结:

    175°C(最大)

  • 描述:

    SILICON CARBIDE POWER DIODE

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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