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NXH160T120L2Q1数据手册ONSEMI中文资料规格书

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厂商型号

NXH160T120L2Q1

功能描述

功率集成模块(PIM)IGBT 1200V 160A和650V 100A

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-6 8:30:00

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NXH160T120L2Q1规格书详情

描述 Description

The NXH160T120L2Q1 is a power module containing a split T-type neutral point clamped three-level inverter, consisting of two 160A/1200V half-bridge IGBTs with inverse diodes, two neutral point 100A/1200V rectifiers, two 100A/650V neutral point IGBTs with inverse diodes, two half-bridge 100A/650V rectifiers and a negative temperature coefficient thermistor (NTC).
The product is available in press-fit and solder pin versions.

特性 Features

• 1200V IGBT Specifications: VCE(SAT) = 2.1V @ 160A, ESW = 6.3mJ @ 100A
• Fast switching IGBT with low VCE(SAT) for high efficiency
• 650V IGBT Specifications: VCE(SAT) = 1.65V @ 150A, ESW = 3.8mJ @ 100A
• Fast switching IGBT with low VCE(SAT) for high efficiency
• Thermistor
• Temperature detection
• 150A rated half bridge diodes
• Supports reactive power flow

应用 Application

• Solar Inverter DC-AC stage
• UPS DC-AC stage
• Battery Storage DC-AC stage
• Solar Inverter
• UPS
• Battery Storage

技术参数

  • 制造商编号

    :NXH160T120L2Q1

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • Halide free

    :H

  • Status

    :Active

  • Configuration

    :Split T-Type Inverter

  • VBR Max (V)

    :1200

  • Rated Current (A)

    :160

  • VCE(sat) Typ (V)

    :2.1

  • VF Typ (V)

    :2.2

  • Application

    :Industrial

  • Package Type

    :Q1

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