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NXH040F120MNF1PG中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NXH040F120MNF1PG
厂商型号

NXH040F120MNF1PG

功能描述

Silicon Carbide (SiC) Module – EliteSiC, 40 mohm SiC M1 MOSFET, 1200 V, 4-PACK Full Bridge Topology, F1 Package

丝印标识

NXH040F120MNF1PG

封装外壳

F1-4PACK

文件大小

1.64804 Mbytes

页面数量

13

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-22 22:59:00

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NXH040F120MNF1PG规格书详情

The NXH040F120MNF1 is a power module containing an

40 m/1200 V SiC MOSFET full bridge and a thermistor in an F1

package.

Features

• 40 m/1200 V SiC MOSFET Half−Bridge

• Thermistor

• Options with Pre−Applied Thermal Interface Material (TIM) and

without Pre−Applied TIM

• Press−Fit Pins

• These Devices are Pb−Free, Halide Free and are RoHS Compliant

Typical Applications

• Solar Inverter

• Uninterruptible Power Supplies

• Electric Vehicle Charging Stations

• Industrial Power

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