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FPM-7061T	文件：529.97 Kbytes Page：2 Pages	6.5VGAIndustrialMonitorwithResistiveTouchControl,DirectVGA/DP,andWideOperatingTemperature	ADVANTECHAdvantech Co., Ltd. 研华科技研华科技（中国）有限公司	ADVANTECH
IPP-7061	文件：125.17 Kbytes Page：1 Pages	OUTLINESMDCOUPLER,90	IPP Innovative Power Products, Inc.	IPP
LS7061	文件：68.78 Kbytes Page：7 Pages	32BIT/DUAL16BITBINARYUPCOUNTERWITHBYTEMULTIPLEXEDTHREE-STATEOUTPUTS DESCRIPTION: TheLS7061/LS7063isamonolithic,ionimplantedMOSSiliconGate,32bit/dual16bitupcounter.TheICincludes40latches,multiplexer,eightthree-statebinarydataoutputdriversandoutputcascadinglogic. FEATURES: •DCto15MHzCountFrequency •ByteMultiplexer •DCto	LSI LSI Computer Systems	LSI
LS7061C	文件：88.87 Kbytes Page：7 Pages	32BITBINARYUPCOUNTERWITHBYTEMULTIPLEXEDTHREE-STATEOUTPUTS DESCRIPTION: TheLS7060C/LS7061CareCMOSSiliconGate,32bitUpCounters.TheICsincludelatches,multiplexer,byteoutputsequencer,eightthree-statebinarydataoutputdriversandoutputcascadinglogic. FEATURES: •DCto50MHzCountFrequency •ByteMultiplexer •DCto10MHzByteOutpu	LSI LSI Computer Systems	LSI
LTC7061	文件：2.22961 Mbytes Page：18 Pages	100VHalf-BridgeDriverwithFloatingGroundsandAdjustableDead-Time	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
LTC7061	文件：617.96 Kbytes Page：14 Pages	150VDualHigh-SideMOSFETGateDriver	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
NDB7061	文件：360.13 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietary,highcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocessisespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwit	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
NDB7061	文件：345.59 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=64A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=16mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDB7061L	文件：345.19 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=60A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=60V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=18mΩ(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NDB7061L	文件：359.67 Kbytes Page：7 Pages	N-ChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistor GeneralDescription TheselogiclevelN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchildsproprietaryhighcelldensity,DMOStechnology.Thisveryhighdensityprocesshasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingper	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild

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