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NX5313EH中文资料PDF规格书

NX5313EH
厂商型号

NX5313EH

功能描述

1 310 nm FOR FTTH PON APPLICATION InGaAsP MQW-FP LASER DIODE

文件大小

220.25 Kbytes

页面数量

9

生产厂商 Renesas Electronics America
企业简称

RENESAS瑞萨

中文名称

瑞萨科技有限公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-15 19:09:00

NX5313EH规格书详情

DESCRIPTION

The NX5313 Series is a 1 310 nm Multiple Quantum Well (MQW) structured Fabry-Perot (FP) laser diode with InGaAs monitor PIN-PD. These devices are designed for application up to 1.25 Gb/s.

FEATURES

• Optical output power Po = 13.0 mW

• Low threshold current lth = 6 mA

• Differential Efficiency ηd = 0.5 W/A

• Wide operating temperature range TC = −40 to +85°C

• InGaAs monitor PIN-PD

• CAN package φ 5.6 mm

• Focal point 6.35 mm

• LD beam angle optimized for 8 degree angled SMF

APPLICATION

• FTTH PON (B-PON, G-PON, GE-PON 10 km) system

产品属性

  • 型号:

    NX5313EH

  • 制造商:

    CEL

  • 制造商全称:

    CEL

  • 功能描述:

    1310 nm InGaAsP MQW FP LASER DIODE IN CAN PACKAGE FOR FTTH PON APPLICATIONS

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