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NVTFS5811NL中文资料功率 MOSFET,40V,40A,6.7 mΩ,单 N 沟道,u8FL,逻辑电平数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVTFS5811NL

参数属性

NVTFS5811NL 包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

功能描述

功率 MOSFET,40V,40A,6.7 mΩ,单 N 沟道,u8FL,逻辑电平
MOSFET N-CH 40V 40A 8WDFN

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:04:00

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NVTFS5811NL规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET in a 3x3mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Low on resistance
• Minimal conduction losses
• High current capability
• Robust load performance
• 100% avalanche tested
• Safeguards agains voltage overstress failures

应用 Application

• motor driver
• Automotive motor control

简介

NVTFS5811NL属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NVTFS5811NL晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NVTFS5811NL

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.2

  • ID Max (A)

    :40

  • PD Max (W)

    :21

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :10

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :6.7

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :17

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :30

  • Ciss Typ (pF)

    :1570

  • Package Type

    :WDFN-8/u8FL

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
24+
标准封装
8000
原装,正品
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WDFN-8
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ON(安森美)
23+
标准封装
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