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NVMJS1D3N04C中文资料功率 MOSFET，单 N 沟道，40 V，1.3 mΩ，235 A数据手册ONSEMI规格书
NVMJS1D3N04C规格书详情
描述 Description
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.
技术参数
- 制造商编号
：NVMJS1D3N04C
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- AEC Qualified
：A
- Halide free
：H
- PPAP Capablee
：P
- Status
：Active
- Channel Polarity
：N-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：40
- VGS Max (V)
：20
- VGS(th) Max (V)
：3.5
- ID Max (A)
：235
- PD Max (W)
：128
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：1.3
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：65
- Ciss Typ (pF)
：4300
- Package Type
：LFPAK-8
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