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NVMJS1D3N04C中文资料功率 MOSFET,单 N 沟道,40 V,1.3 mΩ,235 A数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVMJS1D3N04C

功能描述

功率 MOSFET,单 N 沟道,40 V,1.3 mΩ,235 A

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-10-13 17:21:00

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NVMJS1D3N04C规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.

技术参数

  • 制造商编号

    :NVMJS1D3N04C

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :3.5

  • ID Max (A)

    :235

  • PD Max (W)

    :128

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :1.3

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :65

  • Ciss Typ (pF)

    :4300

  • Package Type

    :LFPAK-8

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