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NVMFWS2D9N04XMT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NVMFWS2D9N04XMT1G
厂商型号

NVMFWS2D9N04XMT1G

功能描述

MOSFET – Power, Single N-Channel, STD Gate, SO8FL 40 V, 3.1 m, 94 A

丝印标识

2D9N4W

封装外壳

DFNW5

文件大小

149.46 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-24 15:08:00

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NVMFWS2D9N04XMT1G规格书详情

Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low Capacitance to Minimize Driver Losses

• Small Footprint (5 x 6 mm) with Compact Design

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

Applications

• Motor Drive

• Battery Protection

• Synchronous Rectification

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