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NVMFS5830NL中文资料Power MOSFET 40V, 185A, 2.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NVMFS5830NL

参数属性

NVMFS5830NL 包装为剪切带(CT);类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL

功能描述

Power MOSFET 40V, 185A, 2.3 mOhm, Single N-Channel, SO8-FL, Logic Level.
MOSFET N-CH 40V 185A SO8FL

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-29 22:59:00

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NVMFS5830NL规格书详情

描述 Description

Automotive Power MOSFET in a 5x6mm flat lead package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. Wettable Flank Option available for Enhanced Optical Inspection. AEC-Q101 Qualified MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications.

特性 Features

• Low RDS(on)
• Reduced conduction losses
• AEC-Q101 Qualified
• Suitable for use in automotive applications
• 5 x 6 x 1 mm SO-8FL package
• Reduced board space, smaller modules
• Devices are Pb free, halogen free, and BFR free
• RoHS compliant

应用 Application

• Motor control
• HS / LS load switch
• Engine Control Module
• Chassis Control module
• Body Control Module

简介

NVMFS5830NL属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的NVMFS5830NL晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :NVMFS5830NL

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Pb-free

    :Pb

  • AEC Qualified

    :A

  • Halide free

    :H

  • PPAP Capablee

    :P

  • Status

    :Active

  • Channel Polarity

    :N-Channel

  • Configuration

    :Single

  • V(BR)DSS Min (V)

    :40

  • VGS Max (V)

    :20

  • VGS(th) Max (V)

    :2.4

  • ID Max (A)

    :185

  • PD Max (W)

    :158

  • RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)

    :-

  • RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)

    :3.6

  • RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)

    :2.3

  • Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)

    :58

  • Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)

    :113

  • Ciss Typ (pF)

    :5880

  • Package Type

    :SO-8FL/DFN-5

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