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NVMFS5113PLT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

NVMFS5113PLT1G
厂商型号

NVMFS5113PLT1G

功能描述

MOSFET ??Power, Single P-Channel -60 V, 14 m, -64 A

丝印标识

V5113L

封装外壳

DFN5

文件大小

189.03 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-3 12:00:00

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NVMFS5113PLT1G规格书详情

特性 Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• High Current Capability

• Avalanche Energy Specified

• NVMFS5113PLWF − Wettable Flanks Product

• NVM Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101

Qualified and PPAP Capable

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ON(安森美)
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