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NVMFS4C306NT1G中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

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厂商型号

NVMFS4C306NT1G

功能描述

MOSFET - Power, Single N-Channel, SO-8 FL 30 V, 3.4 m, 71 A

文件大小

201.94 Kbytes

页面数量

8

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-14 14:15:00

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NVMFS4C306NT1G规格书详情

特性 Features

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low Capacitance to Minimize Driver Losses

• Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses

• AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

• NVMFS4C306NWF − Wettable Flanks Option for Enhanced Optical

Inspection

• These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

Applications

• Reverse Battery Protection

• DC−DC Converters Output Driver

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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