NV24M01MUW3VTBG_集成电路（IC）存储器-安森美半导体

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厂家型号：
NV24M01MUW3VTBG
制造商：
ONSEMI/安森美半导体
库存数量：
0
类别：
集成电路（IC）存储器
封装外壳：
8-UFDFN 裸露焊盘
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2024-5-31 17:43:00

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原厂料号：NV24M01MUW3VTBG品牌：onsemi

资料说明：IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8UDFN

NV24M01MUW3VTBG是集成电路（IC） > 存储器。制造商ONSEMI/安森美半导体生产封装8-UFDFN 裸露焊盘的NV24M01MUW3VTBG存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种，格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等，接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-线。

芯片型号：
nv24m01muw3vtbg
规格书：
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企业简称：
ONSEMI【安森美半导体】详情
厂商全称：
ON Semiconductor
中文名称：
安森美半导体公司
资料说明：
IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8UDFN

产品属性

类型
描述
产品编号：
NV24M01MUW3VTBG
制造商：
onsemi
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
Automotive, AEC-Q100
包装：
卷带（TR）
存储器类型：
非易失
存储器格式：
EEPROM
技术：
EEPROM
存储容量：
1Mb（128K x 8）
存储器接口：
I²C
写周期时间 - 字，页：
5ms
电压 - 供电：
1.8V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TA）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-UFDFN 裸露焊盘
供应商器件封装：
8-UDFN（2x3）
描述：
IC EEPROM 1MBIT I2C 1MHZ 8UDFN

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NV24M01MUW3VTBG_集成电路（IC） 存储器-安森美半导体

NV24M01MUW3VTBG

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