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NUS5531MTR2G中文资料Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
NUS5531MTR2G |
| 参数属性 | NUS5531MTR2G 封装/外壳为8-WDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-特殊用途；NUS5531MTR2G应用范围：通用；产品描述：MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN |
| 功能描述 | Main Switch Power MOSFET and Single Charging BJT |
| 封装外壳 | 8-WDFN 裸露焊盘 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-27 11:11:00 |
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NUS5531MTR2G规格书详情
简介
NUS5531MTR2G属于分立半导体产品的晶体管-特殊用途。由制造生产的NUS5531MTR2G晶体管 - 特殊用途特殊用途晶体管系列产品属于分立晶体管或晶体管阵列，带有或不带有附加的集成无源元件和内部连接，可用于或经调整用于某些狭窄或特定的用途，例如电流镜、平衡串联电容器组或负载切换。
技术参数
更多- 产品编号：
NUS5531MTR2G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 特殊用途
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
PNP，P 通道
- 应用：
通用
- 电压 - 额定：
20V PNP，12V P 通道
- 额定电流（安培）：
2A PNP，5.47A P 通道
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
8-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
8-WDFN（3x3）
- 描述：
MOSFET/BJT SGL P-CH 12V 8-WDFN
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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