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NUS2045MNT1中文资料Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

NUS2045MNT1

参数属性

NUS2045MNT1 封装/外壳为8-VDFN 裸露焊盘;包装为卷带(TR);类别为电路保护的TVS-混合技术;NUS2045MNT1应用范围:通用;产品描述:IC OVP W/20V P-CH MOSFET DFN8

功能描述

Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET
IC OVP W/20V P-CH MOSFET DFN8

封装外壳

8-VDFN 裸露焊盘

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-26 22:59:00

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NUS2045MNT1规格书详情

简介

NUS2045MNT1属于电路保护的TVS-混合技术。由制造生产的NUS2045MNT1TVS - 混合技术混合技术 TVS(瞬态电压抑制器)产品族中的产品属于过压保护产品,其中结合了基于多种技术的保护机制,例如串联连接的 MOV(金属氧化物压敏电阻)和 GDT(气体放电管),旨在同时获得低漏电流和自恢复箝位工作特性。

技术参数

更多
  • 产品编号:

    NUS2045MNT1

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    电路保护 > TVS - 混合技术

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 电压 - 箝位:

    7.08V

  • 技术:

    混合技术

  • 应用:

    通用

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-VDFN 裸露焊盘

  • 供应商器件封装:

    8-DFN(3.3x3.3)

  • 描述:

    IC OVP W/20V P-CH MOSFET DFN8

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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