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NUS1204MNT1G电路保护的TVS-混合技术规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
NUS1204MNT1G |
| 参数属性 | NUS1204MNT1G 封装/外壳为6-WDFN 裸露焊盘；包装为卷带（TR）；类别为电路保护的TVS-混合技术；NUS1204MNT1G应用范围：通用；产品描述：IC OVP W/P-CH MOSFET WDFN6 2X2 |
| 功能描述 | Overvoltage Protection IC with Integrated MOSFET |
| 封装外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 文件大小 |
59.77 Kbytes |
| 页面数量 |
5 页 |
| 生产厂商 | ONSEMI |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-3 23:00:00 |
| 人工找货 | NUS1204MNT1G价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
NUS1204MNT1G规格书详情
NUS1204MNT1G属于电路保护的TVS-混合技术。由安森美半导体制造生产的NUS1204MNT1GTVS - 混合技术混合技术 TVS（瞬态电压抑制器）产品族中的产品属于过压保护产品，其中结合了基于多种技术的保护机制，例如串联连接的 MOV（金属氧化物压敏电阻）和 GDT（气体放电管），旨在同时获得低漏电流和自恢复箝位工作特性。
产品属性
更多- 产品编号：
NUS1204MNT1G
- 制造商：
onsemi
- 类别：
电路保护 > TVS - 混合技术
- 包装：
卷带（TR）
- 电压 - 箝位：
4.725V
- 技术：
混合技术
- 应用：
通用
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-WDFN 裸露焊盘
- 供应商器件封装：
6-WDFN（2x2）
- 描述：
IC OVP W/P-CH MOSFET WDFN6 2X2
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON/安森美 |
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