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NUP4102XV6T1G	文件：47.03 Kbytes Page：3 Pages	6?뭁in Bi?묭irectional Quad TVS Array	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NUP4102XV6T1G	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-563，SOT-666；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 12VWM 25VC SOT563	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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6?뭁in Bi?묭irectional Quad TVS Array

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NUP4102XV6T1G

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Package：SOT-563，SOT-666；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：电路保护 TVS - 二极管描述：TVS DIODE 12VWM 25VC SOT563

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

ONSEMI

TPNUP4102XV6T1G

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6-PinBi-DirectionalQuadTVSArray

Features *75Wpeakpulsepower(8/20μs) *Ultralowleakage:nAlevel *Operatingvoltage:12V *Lowclampingvoltage *Complieswithfollowingstandards: -IEC61000-4-2(ESD)immunitytest Airdischarge:±30kV Contactdischarge:±30kV -IEC61000-4-4(EFT)40A(5/50ns) -IEC61000-4-5(Li

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产品属性

产品编号：
NUP4102XV6T1G
制造商：
onsemi
类别：
电路保护 > TVS - 二极管
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
类型：
齐纳
电压 - 反向断态（典型值）：
12V（最大）
电压 - 击穿（最小值）：
13.6V
不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值）：
25V
电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs)：
3A（8/20µs）
功率 - 峰值脉冲：
75W
电源线路保护：
无
应用：
通用
不同频率时电容：
13pF @ 1MHz
工作温度：
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-563，SOT-666
供应商器件封装：
SOT-563
描述：
TVS DIODE 12VWM 25VC SOT563

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更多NUP4102XV6T1G供应商更新时间2025-7-14 16:06:00

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