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NTTFS004P02P8	文件：321.07 Kbytes Page：7 Pages	MOSFET – P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -56 A, 4 m GeneralDescription ThisP−ChannelMOSFETisproducedusingonsemi’sadvanced POWERTRENCHprocessthathasbeenoptimizedforRDS(ON), switchingperformanceandruggedness. Features •MaxRDS(on)=4matVGS=−4.5V,ID=−18A •MaxRDS(on)=5.7matVGS=−2.5V,ID=−16A •MaxR	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

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NTTFS004P02P8

文件：321.07 Kbytes

Page：7 Pages

MOSFET – P-Channel, POWERTRENCH -20 V, -56 A, 4 m

GeneralDescription ThisP−ChannelMOSFETisproducedusingonsemi’sadvanced POWERTRENCHprocessthathasbeenoptimizedforRDS(ON), switchingperformanceandruggedness. Features •MaxRDS(on)=4matVGS=−4.5V,ID=−18A •MaxRDS(on)=5.7matVGS=−2.5V,ID=−16A •MaxR

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