NTS2101P中文资料小信号 MOSFET -8V -1.4A 100 Ω 单 P 沟道 SC-70数据手册ONSEMI规格书
NTS2101P规格书详情
描述 Description
This is an 8.0 V P-Channel Power MOSFET.
特性 Features
• Leading Trench Technology for Low RDS(on) Extending Battery Life
• -1.8 V Rated for Low Voltage Gate Drive
• SC-70 Surface Mount for Small Footprint (2x2 mm)
应用 Application
• High Side Load Switch
• Charging Circuit
• Single Cell Battery Application Applications
• Cell Phones
• Digital Cameras
• PDAs
技术参数
- 制造商编号
：NTS2101P
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Channel Polarity
：P-Channel
- Configuration
：Single
- V(BR)DSS Min (V)
：-8
- VGS Max (V)
：8
- VGS(th) Max (V)
：-
- ID Max (A)
：1.4
- PD Max (W)
：0.29
- RDS(on) Max @ VGS = 2.5 V(mΩ)
：78
- RDS(on) Max @ VGS = 4.5 V(mΩ)
：65
- RDS(on) Max @ VGS = 10 V(mΩ)
：-
- Qg Typ @ VGS = 4.5 V (nC)
：6.4
- Qg Typ @ VGS = 10 V (nC)
：6.4
- Ciss Typ (pF)
：640
- Package Type
：SC-70-3/SOT-323-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ON |
2016+ |
SOT323 |
1900 |
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询价 | ||
ON |
2021+ |
SOT-323-3 |
18000 |
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询价 | ||
ON SEMICONDUCTOR |
2022+ |
SOT323 |
7600 |
原厂原装,假一罚十 |
询价 | ||
ONSEMI/安森美 |
25+ |
SC-70 |
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询价 | ||
原装 |
20+ |
原装 |
56200 |
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询价 | ||
ON |
24+ |
SOT-323 |
20000 |
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ON/安森美 |
24+ |
SOT-323 |
333652 |
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ON/安森美 |
25+ |
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ON |
23+ |
原厂封装 |
13528 |
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询价 | ||
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25+ |
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询价 |
