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NTR3162P	文件：129.82 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??.6 A, Single P?묬hannel, SOT??3 文件：129.82 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NTR3162PT1G	文件：495.47 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：495.47 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTR3162PT3G	文件：495.42 Kbytes Page：9 Pages	P-Channel 30 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg Tested APPLICATIONS • For Mobile Computing - Load Switch - Notebook Adaptor Switch - DC/DC Converter 文件：495.42 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
NTR3162PT1G	文件：129.82 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET ??0 V, ??.6 A, Single P?묬hannel, SOT??3 文件：129.82 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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NTR3162P	文件：300 bytes Page：1 Pages	20 V，3.6 A，70 mΩ，单 P 沟道，功率 MOSFET，SOT-23 这是一个 20 V P 沟道功率 MOSFET。 • Leading Edge Trench Technology for Low RDS(on);	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

更多NTR3162P供应商更新时间2025-11-22 13:58:00