NTMFSCHT1D0N06CSTWG中文资料安森美半导体数据手册PDF规格书

厂商型号	NTMFSCHT1D0N06CSTWG
功能描述	MOSFET - Power, Single N‐Channel, STD Gate, DUAL COOL, DFN8 5x6 60 V, 1.1 m, 302 A
文件大小	292.62 Kbytes
页面数量	6 页
生产厂商	ONSEMI
中文名称	安森美半导体
网址	网址
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更新时间	2025-12-19 23:01:00
人工找货	NTMFSCHT1D0N06CSTWG价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货

特性 Features

• Advanced Dual-Side Cool Package with Enhanced

Heat-Dissipation Molding Compound

• Optimized for Smoother Switching

• Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

• Low Qg to Minimize Gate Driving Losses

• MSL1 Robust Packaging Design

• These Devices are Pb-Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

Applications

• Power Supply Unit (PSU)

• DC/DC Intermediated Bus Converter

• Control FET in High Switching Frequency Application

• Synchronous Rectifier

• ORing FET

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