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NTMFS5C670NLT1G	文件：85.49 Kbytes Page：6 Pages	Single N-Channel Field Effect Transistor Features • Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design • Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses • Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses • These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant 文件：85.49 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
NVMFS5C670NLT1G	文件：127.1 Kbytes Page：6 Pages	Power MOSFET 文件：127.1 Kbytes 页数：6 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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更多NTMFS5C670NLT1G供应商更新时间2025-4-17 16:34:00