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NTMFS5113PLT1G分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料

NTMFS5113PLT1G
厂商型号

NTMFS5113PLT1G

参数属性

NTMFS5113PLT1G 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM

功能描述

Power MOSFET ??0 V, 14 m, ??4 A, Single P?묬hannel
NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM

丝印标识

V5113L

封装外壳

DFN5

文件大小

187.85 Kbytes

页面数量

7

生产厂商 ON Semiconductor
企业简称

ONSEMI安森美半导体

中文名称

安森美半导体公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:01:00

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NTMFS5113PLT1G规格书详情

NTMFS5113PLT1G属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由安森美半导体公司制造生产的NTMFS5113PLT1G晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

产品属性

更多
  • 产品编号:

    NTMFS5113PLT1G

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单个

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):

    10A(Ta),64A(Tc)

  • 描述:

    NFET SO8FL 60V 69A 16MOHM

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